00' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS > TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; contadores mecánicos con un mecanismo de entrada eléctrico G06M; dispositivos de registro de la información en general G11; medios de muestreo y de memorización en las memorias analógicas eléctricas G11C 27/02; estructura de interruptores que tienen aperturas y cierres de contactos con objeto de producir impulsos, p. ej. que utilizan un imán móvil, H01H; transformación por medios estáticos de una potencia eléctrica H02M; producción de oscilaciones por circuitos que utilizan elementos activos que trabajan sin conmutación H03B; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C, H04L; circuitos discriminadores que hacen intervenir el cómputo de impulsos H03D; control automático de generadores H03L; arranque, sincronización o estabilización de generadores cuando el tipo de generadores es indiferente o no especificado H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M) > Circuitos para la generación de impulsos eléctricos; Circuitos monoestables, biestables o multiestables (H03K 4/00 tiene prioridad; para computadores digitales G06F 1/025)

Detalles.
Modificaciones del generador para compensar las variaciones de valores físicos, p. ej. tensión, temperatura.
Modificaciones del generador para mejorar el tiempo de respuesta o para reducir el consumo de energía.
Modificaciones del generador con objeto de evitar la acción del ruido o de las interferencias.
Modificaciones del generador para asegurar la puesta en marcha de las oscilaciones.
Modificaciones del generador para mantener una energía constante.
Control del ancho o de la relación de duración del período de los impulsos (modulación de impulsos en anchura H03K 7/08).
Generadores caracterizados por el tipo de circuito o por los medios utilizados para producir impulsos (H03K 3/64 - H03K 3/84 tienen prioridad).
por la utilización, como elementos activos, de más de un tipo de elementos o de medios, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.
por la utilización de amplificadores diferenciales o comparadores, con realimentación positiva interna o externa.
Circuitos astables.
Circuitos monoestables.
Circuitos biestables.
Circuitos multiestables.
por la utilización de circuitos lógicos, con realimentación positiva interna o externa.
Circuitos astables.
Circuitos monoestables.
Circuitos biestables.
Circuitos multiestables.
por la utilización como elementos activos de tubos de vacío con realimentación positiva (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
utilizando otro medio de realimentación que un transformador.
utilizando al menos dos tubos acoplados de forma que la entrada de cada uno es derivada desde la salida del otro, p. ej. multivibrador.
astable.
Estabilización del valor de salida.
monoestable.
biestable.
biestables con histéresis, p. ej. disparador de Schmitt.
multiestable.
utilizando un transformador para la realimentación, p. ej. oscilador de bloqueo con núcleo saturable.
especialmente adaptados como comparadores de amplitud, es decir, Multiar.
por la utilización como elementos activos de transistores bipolares con realimentación positiva interna o externa (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
utilizando otro medio de realimentación que un transformador.
utilizando al menos dos transistores acoplados de forma que la entrada del uno deriva de la salida del otro, p. ej. multivibrador.
astable.
Estabilización del valor de salida.
monoestable.
biestable.
utilizando transistores adicionales en el circuito de realimentación (H03K 3/289 tiene prioridad).
utilizando transistores adicionales en el circuito de entrada (H03K 3/289 tiene prioridad).
teniendo una configuración diferencial el circuito de entrada.
del tipo maestro-repetidor.
biestables con histéresis, p. ej. disparador Schmitt.
con un circuito de entrada de configuración diferencial.
multiestable.
utilizando un transformador para la realimentación, p. ej. osciladores de bloqueo.
por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores con dos electrodos, una o dos barreras de potencial, y presentando una característica de resistencia negativa.
siendo los dispositivos diodos túnel.
por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores que presentan una acumulación de huecos o efectos acumulativos.
por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores con más de dos electrodos y que presentan el efecto de avalancha.
por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores bipolares con al menos tres uniones PN, o al menos cuatro electrodos o al menos dos electrodos conectados en la misma región de conductividad (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
siendo los dispositivos transistores uniunión (H03K 3/352 tiene prioridad).
siendo los dispositivos tiristores.
Tiristores de puerta de ánodo o transistores uniunión programables.
por la utilización como elementos activos de transistores de efecto de campo con realimentación positiva interna o externa (H03K 3/023, H03K 3/027 tienen prioridad).
Circuitos astables.
Circuitos monoestables.
Circuitos biestables.
del tipo maestro-esclavo.
biestables con histéresis, p. ej. disparador Schmitt.
Circuitos multiestables.
por la utilización como elementos activos de resistencias negativas de efecto de volumen, p. ej. dispositivos con efecto Gunn.
por la utilización como elementos activos de dispositivos semiconductores no previstos en otro lugar.
por la utilización como elementos activos de tubos de atmósfera gaseosa, p. ej. circuitos disparadores astables (H03K 3/55 tiene prioridad).
por la utilización de dispositivos superconductores como elementos activos.
por la utilización de células electroquímicas como elementos activos.
por la utilización de dispositivos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctrica u ópticamente, como elementos activos.
por la utilización de tubos de desviación del haz como elementos activos.
por la utilización, como elementos activos, de dispositivos magnéticos o dieléctricos no lineales.
siendo los dispositivos parametrones.
siendo los dispositivos ferroresonantes.
siendo los dispositivos núcleos magnéticos de varias aberturas, p. ej. transfluxores.
por la utilización de un elemento que acumula la energía descargada en una carga por un dispositivo interruptor controlado por una señal exterior y no incorporando realimentación positiva (H03K 3/335 tiene prioridad).
siendo el dispositivo de conmutación un descargador.
siendo el dispositivo de conmutación un tubo de vacío.
siendo el dispositivo de conmutación un tubo de atmósfera gaseosa con electrodo de control.
siendo el dispositivo de conmutación un dispositivo de semiconductores.
por la utilización de dispositivos galvanomagnéticos, p. ej. con efecto Hall.
Generadores que producen trenes de impulsos, es decir, secuencias de impulsos limitados.
por interrupción de la corriente de salida de un generador.
siendo iguales los intervalos de tiempo entre todos los impulsos adyacentes de un tren.
con medios para hacer variar la frecuencia de repetición de los trenes.
engendrando un tren único de impulsos que tiene una característica predeterminada, p. ej. un número predeterminado.
engendrando trenes de oscilaciones sinusoidales (por interrupción H03C, H04L).
Generación de impulsos que tienen una distribución estadística predeterminada de un parámetro, p. ej. generadores de impulsos aleatorios.
Generación de impulsos por medio de líneas de retardo no cubierto por los subgrupos precedentes.