PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE OXISULFURO DE ZINC

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ES 2595634 B1

P 201530937 ( 3 )

30/06/2015

02/01/2017

H01L 31/18 (2006.01)

C25D 3/00 (2006.01)

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE OXISULFURO DE ZINC

Abengoa Solar New Technologies, S.A. (100,0%)
Sevilla (Sevilla) ES
Código Postal: 41014

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Fecha de concesión: 04/10/2017

Procedimiento para la preparación de una capa semiconductora de oxisulfuro de zinc (ZnS x O 1-x ), donde X toma valores mayores a cero y menores a uno, mediante electrodeposición en una celda electrolítica formada por un electrodo de trabajo o cátodo, un contra-electrodo o ánodo, un electrodo de referencia y un electrolito. El electrolito comprende un líquido iónico, oxígeno (O 2 ) o una fuente precursora de oxígeno, una fuente de zinc seleccionada del grupo que comprende: una sal de zinc, un contra-electrodo de zinc, y combinación de ambos, una fuente de azufre y donde el proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0° y 250°C, manteniendo durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10 -5 M y 0,1 M, y la concentración de azufre en el electrolito entre 1% y 5000% en proporción atómica con respecto a la concentración de zinc y la relación entre la concentración de precursor de azufre y de oxígeno en el electrolito varía entre 0.1 y 5000.