OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

Patentes y modelos de utilidad (Tomo 2 del BOPI del ) > 1. PATENTES > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) >

ES 2349610 A1

P 200900639 ( 9 )

06-03-2009

H01L 21/20 (2006.01)

C30B 29/42 (2006.01)

C30B 25/02 (2006.01)

C23C 14/00 (2006.01)

OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

PACIFIC SPEED LIMITED

Mostrar.

Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y su método de fabricación, en el que una primera capa intermedia de silicio (52) se deposita en un sustrato de metal (51), una segunda capa intermedia de semiconductor compuesto (53) se deposita en la primera capa intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de semiconductor compuesto (54) se deposita en la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto, la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (55) se cristaliza en la tercera capa intermedia de semiconductor compuesto y se aplica un primer tratamiento térmico, la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) se cristaliza en la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto y, finalmente, se aplica un segundo tratamiento térmico para obtener una oblea de semiconductor compuesto (50) de buena calidad.