Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio
ES 2529607 B1
P 201300688 ( 8 )
23-07-2013
23-02-2015
H01L 31/18 ( 2006.01)
H01L 31/0224 ( 2006.01)
C01G 9/02 ( 2006.01)
Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio
ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. (100,0%)
Sevilla (Sevilla) ES
N/D.
Fecha de concesión: 25-11-2015
Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) mediante electrodeposición donde el electrolito comprende al menos un líquido iónico, una fuente de oxígeno, una fuente de aluminio y una fuente de zinc, manteniéndose durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10 -5 M y 0,5 M, y la concentración de aluminio en el electrolito está entre el 1x10 -3 % y 10% en proporción atómica con respecto a la concentración de zinc. El proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0º y 250°C. Las capas obtenidas pueden utilizarse en tecnología fotovoltaica como capas de óxido transparentes y conductoras que forman el contacto frontal de una celda fotovoltaica.
Jerarquías de la CIP 2006:- H SECCION H — ELECTRICIDAD.
- H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
- H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
- H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E04D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F24J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G01T 1/24, con detectores de resistencia G01T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G01T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H).
- H01L 31/18 Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (para la fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de estado sólido o de sus partes en general H01L 21/00).
- H01L 31/0224 Electrodos.
- C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.
- C01 QUIMICA INORGANICA (tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos C04B 35/00; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
- C01G COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de los oxácidos de los halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 31/30; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20).
- C01G 9/00 Compuestos de zinc.
- C01G 9/02 Oxidos; Hidróxidos.
Otras apariciones publicadas en el BOPI:
- Tomo 2 del 14 de Octubre de 2013 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Continuación de procedimiento (art. 31.5 lp)
- Tomo 2 del 23 de Febrero de 2015 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Publicación de la solicitud (art. 32.1 lp)
- Tomo 2 del 23 de Febrero de 2015 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Publicación de la mención al informe de búsqueda internacional (art. 33.6 y 34.5 lp)
- Tomo 2 del 15 de Junio de 2015 1. patentes > Tramitación > Procedimiento general de concesión > Reanudación procedimiento general de concesión (art. 36.3 lp)
- Tomo 2 del 07 de Septiembre de 2015 1. patentes > Tramitación > Procedimiento general de concesión > Traslado de observaciones al informe sobre el estado de la técnica (art. 36.2 lp)
