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CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE OBTENCION

CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE...

ES 2665809 B2

P 201731223 ( 1 )

17/10/2017

27/04/2018

H01L 31/0725 (2012.01)

H01L 31/0735 (2012.01)

H01L 31/18 (2006.01)

H01L 51/44 (2006.01)

CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE OBTENCION

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID (100,0%)
MADRID (Madrid) ES
Código Postal: 28040

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Fecha de concesión: 07/06/2019

Célula solar multiunión de semiconductores III-V que contiene grafeno y método de obtención.
La invención se refiere a una célula solar multiunión que comprende: una estructura semiconductora que incorpora una o más uniones pn fotovoltaicamente activas hechas de semiconductores III-V, contactos metálicos frontales y traseros, y una o más capas de grafeno depositadas entre la estructura semiconductora y los contactos frontales. Para muchas aplicaciones de esta invención, además sería necesario depositar capas antirreflectantes sobre el grafeno. Asimismo, la presente invención se refiere al método de obtención de la célula solar multiunión, caracterizado porque comprende depositar al menos una capa de grafeno mediante transferencia sobre la superficie semiconductora frontal de la célula solar, previamente al depósito de los contactos metálicos frontales.

Jerarquías de la CIP 2006:
  • H SECCION H — ELECTRICIDAD.
  • H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
  • H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
  • H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E04D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F24J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G01T 1/24, con detectores de resistencia G01T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G01T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H).
  • H01L 31/18 Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (para la fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de estado sólido o de sus partes en general H01L 21/00).
  • H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).
  • H01L 51/44 Detalles de los dispositivos.

Otras apariciones publicadas en el BOPI: Tomo 2 del 27 de Abril de 2018 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet > Publicación de la solicitud (art. 37 lp), Tomo 2 del 27 de Abril de 2018 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet > Publicación del informe sobre el estado de la técnica (art. 37 lp), Tomo 2 del 06 de Junio de 2019 1. patentes > Tramitación > Examen sustantivo > Finalización de examen sustantivo.

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