1. patentes › tramitación › hasta la publicación del iet › publicación de la solicitud (art. 37 lp). BOPI del .

Patentes y modelos de utilidad (Tomo 2) > 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet > Publicación de la solicitud (art. 37 lp).

PROCEDIMIENTO DE DETECCIÓN DE RADIACIÓN Y PARTÍCULAS EMPLEANDO UN DIODO SEMICONDUCTOR POR MODULACIÓN DE BANDAS DE ENERGÍA

PROCEDIMIENTO DE DETECCIÓN DE RADIACIÓN Y PARTÍCULAS EMPLEANDO UN DIODO SEMICONDUCTOR...

ES 2770473 A1

P 201831304 ( 5 )

30/12/2018

H01L 31/10 (2006.01)

H01L 31/0352 (2006.01)

PROCEDIMIENTO DE DETECCIÓN DE RADIACIÓN Y PARTÍCULAS EMPLEANDO UN DIODO SEMICONDUCTOR POR MODULACIÓN DE BANDAS DE ENERGÍA

UNIVERSIDAD DE GRANADA (100,0%)

Procedimiento de detección de radiación y partículas empleando un diodo semiconductor por modulación de bandas de energía.
La presente invención describe un procedimiento que permite la detección de partículas o radiación empleando un diodo por modulación de bandas de energía. La utilización de esta invención resulta especialmente interesante para detectar radiación incidente de partículas cargadas u ondas electromagnéticas, por lo que también son objeto de la invención los dispositivos para la detección de partículas o radiación, que comprenden al menos un diodo por modulación de bandas de energía y los medios necesarios para llevar a cabo la detección.

Procedimiento de detección de radiación y partículas empleando un diodo semiconductor por modulación de bandas de energía.
La presente invención describe un procedimiento que permite la detección de partículas o radiación empleando un diodo por modulación de bandas de energía. La utilización de esta invención resulta especialmente interesante para detectar radiación incidente de partículas cargadas u ondas electromagnéticas, por lo que también son objeto de la invención los dispositivos para la detección de partículas o radiación, que comprenden al menos un diodo por modulación de bandas de energía y los medios necesarios para llevar a cabo la detección.

Jerarquías de la CIP 2006:
  • H SECCION H — ELECTRICIDAD.
  • H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
  • H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
  • H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E04D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F24J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G01T 1/24, con detectores de resistencia G01T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G01T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H).
  • H01L 31/0352 caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L 31/10 caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.

Otras apariciones publicadas en el BOPI: Tomo 2 del 08 de Abril de 2019 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet > Defectos en admisión tramite (art. 18 rp), Tomo 2 del 01 de Julio de 2020 1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet > Publicación del informe sobre el estado de la técnica (art. 37 lp).

[+]