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PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN DE UN MATERIAL SÓLIDO CON AGREGADOS GASEOSOS MEDIANTE PULVERIZACIÓN CATÓDICA POR MAGNETRÓN EN CONDICIONES ESTÁTICAS O CUASIESTÁTICAS PARA REDUCIR EL CONSUMO DE GAS

ES 2761148 B2

P 201831107 ( 7 )

15/11/2018

18/05/2020

C23C 14/35 (2006.01)

B82Y 40/00 (2011.01)

PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN DE UN MATERIAL SÓLIDO CON AGREGADOS GASEOSOS MEDIANTE PULVERIZACIÓN CATÓDICA POR MAGNETRÓN EN CONDICIONES ESTÁTICAS O CUASIESTÁTICAS PARA REDUCIR EL CONSUMO DE GAS

N/D.

N/D.

N/D.

Fecha de concesión: 21/10/2020

Procedimiento de obtención de un material sólido con agregados gaseosos mediante pulverización catódica por magnetrón en condiciones estáticas o cuasiestáticas para reducir el consumo de gas.
La presente invención se refiere a un procedimiento de obtención de un material sólido con agregados gaseosos embebidos en él, donde dichos agregados están embebidos en el interior de nanoporos y/o en las fronteras de grano del sólido, mediante pulverización catódica por magnetrón, en un régimen estático o cuasiestático. La presente invención se enmarca en procesos de la industria metalúrgica, y/o procesos de obtención de materiales con otros embebidos (nanocomposites) mediante pulverización.

Jerarquías de la CIP 2006:
  • C SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.
  • C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS (por metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización local D06Q 1/04 ); TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (para aplicaciones particulares ver las clases apropiadas, p. ej. para la fabricación de resistencias H01C 17/06 ); MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL (tratamiento de la superficie metálica o revestimiento de metales por electrólisis o electroforesis C25D, C25F).
  • C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; crecimiento de capas monocristalinas C30B; detalles de aparatos que emplean técnicas de barrido con sonda, en general G12B 21/00; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K).
  • C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento (tubos de descarga provistos de medios que permiten la introducción de objetos o de un material para ser expuestos a la descarga H01J 37/00).
  • C23C 14/35 por aplicación de un campo magnético, p. ej. pulverización por medio de un magnetrón.

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TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO

ES 2763702 B2

P 201831162 ( X )

29/11/2018

29/05/2020

H01L 29/16 (2006.01)

H01L 29/94 (2006.01)

H01L 21/205 (2006.01)

TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO

N/D.

N/D.

N/D.

Fecha de concesión: 21/10/2020

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo.
La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.

Jerarquías de la CIP 2006:
  • H SECCION H — ELECTRICIDAD.
  • H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
  • H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
  • H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00 o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C23C, C30B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G03F).
  • H01L 21/205 utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
  • H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas H01L 21/00; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; resistencias en general H01C; condensadores en general H01G).
  • H01L 29/16 incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del cuarto grupo de la tabla periódica en forma no combinada.
  • H01L 29/94 Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.

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