00' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS (por metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización local D06Q 1/04 ); TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (para aplicaciones particulares ver las clases apropiadas, p. ej. para la fabricación de resistencias H01C 17/06 ); MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL (tratamiento de la superficie metálica o revestimiento de metales por electrólisis o electroforesis C25D, C25F) > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; crecimiento de capas monocristalinas C30B; detalles de aparatos que emplean técnicas de barrido con sonda, en general G12B 21/00; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K) > Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00)

Pretratamiento del material a revestir (C23C 16/04 tiene prioridad).
Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
caracterizado por la deposición de un material metálico.
a partir de carbonilos metálicos.
a partir de compuestos organometálicos.
caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos.
Deposición solamente de carbono.
Deposición de compuestos, de mezclas o de soluciones sólidas, p. ej. boruros, carburos, nitruros.
Carburos.
Nitruros.
Carbo-nitruros.
Boruros.
Oxidos.
Siliciuros.
caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
utilizando procesos en lechos fluidizados.
caracterizado por el proceso utilizado para producir corrientes de gases reactivos, p. ej. materiales precursores.
haciendo pasar los gases de reacción a través de quemadores o de antorchas, p. ej. CVD a presión atmosférica (C23C 16/513 tiene prioridad; para la pulverización de material de revestimiento en estado fundido con ayuda de una llama o de un plasma C23C 4/00).
caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara a reacción.
caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara de reacción.
por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.
por medio de descargas eléctricas.
Control o regulacción del proceso de deposición (control o regulación en general G05).
Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
Tratamiento posterior.
sobre sustratos temporales, p. ej., sobre sustratos que posteriormente se eliminan por ataque químico.
a partir de haluros metálicos.
Deposición solamente de cromo.
Deposición solamente de aluminio.
Deposición de solo otro elemento metálico.
Deposición solamente de aluminio.
Deposición solamente de silicio.
solamente diamante.
Deposición de solo otro elemento no metálico.
por activación de corriente de gases reactivos antes de la introducción en la cámara de reacción, p. ej. por ionización o por adición de especies reactivas.
utilizando descargas con corriente continua o alterna.
utilizando descargas con radiofrecuencia.
utilizando electrodos externos, p. ej. en reactores de tipo túnel.
utilizando electrodos internos.
utilizando descargas con microondas.
utilizando chorros de plasma.
utilizando descargas impulsadas.
utilizando una combinación de descargas cubiertas por varios de los grupos C23C 16/503 - C23C 16/515.