[...] Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales). C30B 13/00' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales)

  • Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente.
  • Homogeneización por nivelado de zona.
  • no extendiéndose la zona fundida a toda la sección transversal.
  • introduciendo en la zona fundida el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .
  • añadiendo un material de dopado.
  • en estado gas o vapor.
  • Crisoles o recipientes.
  • Calentamiento de la zona fundida.
  • estando el elemento calefactor en contacto con, o sumergido en, la zona fundida.
  • por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente (C30B 13/18 tiene prioridad; bobinas de inducción H05B 6/36).
  • por irradiación o por descarga eléctrica.
  • utilizando radiaciones electromagnéticas.
  • Agitación de la zona fundida.
  • Control o regulación (control o regulación en general G05).
  • Estabilización, o control de la forma, de la zona de fusión, p. ej. por concentradores, por campos electromagnéticos; Control de la sección de cristal.
  • Mecanismos para desplazar o bien la carga, o bien el dispositivo de calefacción.
  • caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.