00' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00)

introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ .
Estirado no vertical.
Estirado hacia abajo.
Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido.
Calentamiento del baño fundido o del material cristalizado.
Control o regulación (control o regulación en general G05).
Mecanismos para hacer girar o para desplazar bien el baño fundido, bien el cristal (métodos de flotación C30B 15/28).
Portagérmenes, p. ej. mandriles.
Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.
caracterizada por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
añadiendo un material de dopado, p. ej. para una unión n – p.
Métodos que utilizan un crisol doble.
por irradiación o por descarga eléctrica.
utilizando una calefacción directa por resistencia además de otros medios de calefacción, p. ej. utilizando la calefacción por efecto Peltier.
Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.
utilizando medios mecánicos, p. ej. guías de formación (matrices de formación para el crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie C30B 15/34).
utilizando detectores de televisión; utilizando detectores fotográficos o de rayos X.
utilizando el cambio de peso del cristal o del baño fundido, p. ej. por métodos de flotación.