[...] Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. C30B 23/00' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado

• Crecimiento de un lecho epitaxial.
• por condensación de vapores ionizados (por pulverización reactiva C30B 25/06).
• Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
• Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar.