[...] Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. C30B 25/00' de la CIP.
SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor
- Crecimiento de un lecho epitaxial.
- Depósito según una configuración determinada, p. ej. utilizando mascarillas.
- por pulverización reactiva.
- Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin.
- Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
- Portasustrato o soportes.
- Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.
- Control o regulación (control o regulación en general G05).
- caracterizado por el sustrato.
- siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial.
- Procesos en los cuales el crecimiento interviene sobre las dos caras.