[...] Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato. 4 Patentes registradas en la sección 'C30B 25/10' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor > Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato

  1. Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas
  2. Aparato y método de producción de diamantes
  3. Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC
  4. Aparato para crecimiento de cristales

Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 31 de Enero de 2018.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2652129 T3

E 13721420 ( 1 )

12/04/2012 US 201213445070

C30B 25/02 (2006.01)

C30B 25/10 (2006.01)

C30B 25/12 (2006.01)

C30B 25/14 (2006.01)

C30B 25/20 (2006.01)

C30B 29/04 (2006.01)

C23C 16/27 (2006.01)

C23C 16/54 (2006.01)

C23C 16/44 (2006.01)

C23C 16/458 (2006.01)

H01J 37/32 (2006.01)

Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas

IIA Technologies Pte. Ltd. (100,0%)

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PCT/SG2013/000144 12/04/2013

WO13154504 17/10/2013

E13721420 12/04/2013

EP2836622 27/09/2017

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Aparato y método de producción de diamantes

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 19 de Octubre de 2017.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2638166 T3

E 13759886 ( 8 )

30/08/2012 US 201261695052 P

C23C 16/511 (2006.01)

C23C 16/27 (2006.01)

C30B 25/10 (2006.01)

H01J 37/32 (2006.01)

C30B 25/16 (2006.01)

C30B 29/04 (2006.01)

C23C 16/52 (2006.01)

Aparato y método de producción de diamantes

IIA Technologies Pte. Ltd. (100,0%)

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PCT/SG2013/000377 29/08/2013

WO14035344 06/03/2014

E13759886 29/08/2013

EP2890828 14/06/2017

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Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 02 de Octubre de 2017.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2634992 T3

E 14721146 ( 0 )

15/03/2013 US 201361798819 P

H01L 21/20 (2006.01)

C30B 25/10 (2006.01)

C30B 25/20 (2006.01)

C30B 29/36 (2006.01)

Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC

Dow Corning Corporation (100,0%)

ELZABURU, S.L.P ,

PCT/US2014/030022 15/03/2014

WO14145286 18/09/2014

E14721146 15/03/2014

EP2837020 17/05/2017

[+]

Aparato para crecimiento de cristales

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 22 de Diciembre de 2015.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2554606 T3

E 08750643 ( 2 )

C30B 23/06 ( 2006.01)

C30B 29/48 ( 2006.01)

C23C 16/42 ( 2006.01)

C23C 16/46 ( 2006.01)

C30B 35/00 ( 2006.01)

C30B 25/10 ( 2006.01)

Aparato para crecimiento de cristales

Kromek Limited (100,0%)

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PCT/GB2008/001713 16/05/2008

WO08142395 27-11-2008

E08750643 16-05-2008

EP2152943 16-09-2015

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