[...] Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos. C30B 31/00' de la CIP.

SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES (separación por cristalización en general B01D 9/00) > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS > Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos

por contacto con la sustancia de difusión en estado sólido.
por contacto con la sustancia de difusión en estado líquido.
por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (C30B 31/18 tiene prioridad).
siendo la sustancia de difusión un compuesto de los elementos a difundir.
Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin.
Calefacción del recinto de reacción.
Portasustrato o soportes.
Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de los gases.
Control o regulación (control o regulación en general G05).
Dopado por irradiación por medio de radiaciones electromagnéticas o por radiación corpuscular.
por implantación de iones.