[...] Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). G11C 7/00' de la CIP.

SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00) > Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193)

  • con medios para evitar las señales parásitas.
  • con medios para evitar perturbaciones debidas a efectos térmicos.
  • Amplificadores para lectura; Circuitos asociados (amplificadores en sí H03F, H03K).
  • Disposiciones de interfaz para entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. circuitos de control de entrada/salida (E/S) de datos, memorias intermedias de entrada/salida (E/S) de datos (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175).
  • Control de los mismos.
  • Circuitos de control de líneas de bits, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de bits.
  • Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura.
  • Almacenamiento de señales analógicas en memorias digitales utilizando una disposición que comprende convertidores analógico/digitales (A/D), memorias digitales y convertidores digitales/analógicos (D/A).
  • Organización de líneas de bits; Disposición de líneas de bits.
  • Circuitos de inicialización de celdas de memoria, p.ej. al activar o desactivar, borrado de memoria, memoria de imagen latente.
  • Circuitos de sincronización o de reloj para la lectura-escritura (R-W); Generadores o gestión de señales de control para la lectura-escritura (R-W).
  • Circuitos de protección o de seguridad para celdas de memoria, p. ej. disposiciones para impedir la lectura o la escritura involuntaria; Celdas de estado; Celdas de prueba.