00' de la CIP.

SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00) > Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad)

que utilizan elementos magnéticos.
que utilizan dispositivos de efecto Hall.
que utilizan dispositivos reactivos no lineales en los circuitos resonantes.
que utilizan elementos eléctricos.
que utilizan elementos ferroeléctricos.
que utilizan dispositivos de semiconductores.
que utilizan diodos, p. ej. utilizados como elementos de entrada.
utilizando tiristores.
que utilizan transistores.
formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas.
con regeneración de la carga individual de cada celda de memoria, es decir refresco interno.
con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo.
Organización o control de los ciclos de de refresco o de regeneración de la carga.
Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la descodificación, el accionamiento, la escritura, la lectura o la sincronización.
para celdas de memoria del tipo efecto de campo.
Circuitos de direccionamiento.
Circuitos de lectura-escritura (R-W).
formando celdas con realimentación positiva, es decir, celdas que no necesitan refresco o regeneración de la carga, p. ej. multivibrador biestable, disparador de Schmitt.
utilizando únicamente transistores bipolares.
utilizando únicamente transistores de efecto de campo.
Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la decodificación, el control, la escritura, la lectura, la sincronización o la reducción del consumo.
para celdas de memoria de tipo bipolar.
para celdas de memoria del tipo de efecto de campo.
Circuitos de direccionamiento.
Circuitos de lectura-escritura (R-W).
que utilizan elementos termoplásticos.
que utilizan elementos de acoplamiento desplazable, p. ej. núcleos ferromagnéticos, para producir un cambio entre diferentes estados de inducción mutua o de autoinducción.
que utilizan el accionamiento de contactos eléctricos para almacenar la información (memorias mecánicas G11C 23/00; interruptores que permiten un número elegido de accionamientos consecutivos de contactos a continuación de un solo accionamiento manual del órgano motor H01H 41/00).
que utilizan elementos simuladores de células biológicas, p. ej. neurona.
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia (disposiciones de cómputo con elementos multiestables de este tipo H03K 25/00, H03K 29/00).
que utilizan elementos de almacenamiento de forma cilíndrica, p. ej. barra, hilo (G11C 11/12, G11C 11/14 tienen prioridad).
que utilizan elementos de almacenamiento de simple abertura, p. ej. núcleo anular; que utilizan placas de varias aberturas en las que cada abertura constituye un elemento de almacenamiento.
que utilizan elementos de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura destructiva.
organizados por bit, p. ej. organización 2L/2D, 3D, es decir, para la selección de un elemento por medio de al menos dos corrientes parciales coincidentes, tanto para la lectura como la escritura.
organizados por palabras, p. ej. organización 2D o selección lineal, es decir, para la selección de todos los elementos de una palabra por medio de una corriente completa para la lectura.
que utilizan elemento de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura no destructiva.
que utilizan elementos de almacenamiento de aberturas múltiples, p. ej. que utilizan un transfluxor; que utilizan placas que tienen varios elementos de almacenamiento individuales de aberturas múltiples (G11C 11/10 tiene prioridad; que utilizan placas de aberturas múltiples en las que cada abertura individual forma un elemento de almacenamiento G11C 11/06).
que utilizan elementos de almacenamiento multi-axiales.
que utilizan tensores; que utilizan tuistors, es decir, elementos en los que un eje de magnetización es retorcido.
que utilizan elementos de películas finas.
que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad).
con una configuración cilíndrica.
que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.
que utilizan parametrones.
que utilizan almacenamiento electrostático sobre una capa común, p. ej. tubos de Forester-Haeff (G11C 11/22 tiene prioridad).
que utilizan condensadores (G11C 11/22 tiene prioridad; utilizando una combinación de dispositivos a semiconductores y de condensadores G11C 11/34, p. ej. G11C 11/40).
que utilizan tubos de descarga.
que utilizan tubos de atmósfera gaseosa.
que utilizan tubos de vacío (G11C 11/23 tiene prioridad).
con almacenamiento de cargas en una región de empobrecimiento, p.ej. dispositivos acoplados por carga (CCD).
que utilizan diodos túnel.
con una puerta de transferencia de carga, p. ej. un transistor MOS, por celda.
con tres puertas de transferencia de carga, p. ej. transistores MOS, por celda.
para las celdas de memoria de tipo bipolar.
Circuitos para la inicialización, para la puesta en o fuera de tensión, para el borrado de la memoria o para el preajuste.
Circuitos de alimentación o de generación de tensión, p.ej. generadores de tensión de polarización, generadores de tensión de substrato, alimentación de seguridad, circuitos de control de alimentación.
Circuitos de sincronización (para la gestión de la regeneración G11C 11/406).
Circuitos de seguridad o de protección, p. ej. para impedir la lectura o la escritura inadvertidas o no autorizadas; Celdas de estado; Celdas de prueba (protección de los contenidos de la memoria durante la comprobación o ensayo G11C 29/52).
Amplificadores de lectura o de lectura/refresco, o circuitos de lectura asociados, p. ej. para la precarga, la compensación o el aislamiento de las líneas de bits acoplados.
Disposiciones de interfaz de entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. memorias intermedias de datos (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175).
Circuitos de control o de gestión de líneas de bits.
Circuitos de control o de gestión de entrada/salida (E/S) de datos, p.ej.circuitos para la lectura o la escritura, circuitos de activación de entrada/salida, conmutadores de líneas de bits.
Organización de líneas de bits, p.ej. configuración de líneas de bits, líneas de bits dobladas.
Procesamiento de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia.
Circuitos de direccionamiento.
Circuitos de lectura-escritura (R-W).
Circuitos auxiliares específicos para tipos particulares de dispositivos semiconductores de almacenamiento, p.ej. para el direccionamiento, el accionamiento, la lectura, la sincronización, la alimentación, la propagación de señal (G11C 11/4063, G11C 11/413 tienen prioridad).
Circuitos de direccionamiento.
Circuitos de lectura-escritura (R-W).
utilizando dispositivos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctricamente u ópticamente.
que utilizan elementos supraconductores, p. ej. criotrones.
que utilizan relés electromagnéticos.