00' de la CIP.

SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00) > Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad)

programables eléctricamente.
utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria (en general G11C 7/00).
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras.
Circuitos de programación o de entrada de datos.
Circuitos de conmutación de la tensión de programación.
Circuitos para borrar eléctricamente, p.ej. circuitos de conmutación de la tensión de borrado.
para borrar bloques, p. ej. filas, palabras, grupos.
Circuitos para borrar ópticamente.
Inicialización; Preselección de datos; Identificación de "chip".
Circuitos de seguridad o de protección para impedir el acceso no autorizado o accidental a las celdas de memoria.
Circuitos de control de líneas de bits.
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos.
que utilizan celdas de detección diferencial o celdas de referencia, p.ej. celdas ficticias.
Circuitos de alimentación.
Circuitos de sincronización.
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención.