00' de la CIP.

SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00) > Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano (memorias de sólo lectura programables y borrables G11C 16/00; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M)

utilizando elementos capacitivos (G11C 17/06, G11C 17/14 tienen prioridad).
utilizando elementos que contengan diodos (G11C 17/14 tiene prioridad).
utilizando dispositivos de semiconductores, p. ej. elementos bipolares (G11C 17/06, G11C 17/14 tienen prioridad).
en las cuales el contenido está determinado estableciendo, rompiendo o modificando selectivamente las uniones de conexión por una modificación definitiva del estado de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias PROM.
utilizando elementos magnéticos o inductivos (G11C 17/14 tiene prioridad).
en las cuales el contenido está determinado desde la fabricación por una disposición predeterminada de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias ROM programables por máscara.
utilizando dispositivos de efecto de campo.
utilizando uniones fusibles eléctricamente.
Circuitos auxiliares, p. ej. para la escritura en la memoria (en general G11C 7/00).