00' de la CIP.

SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00) > Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento (cadenas contadoras H03K 23/00)

que utilizan elementos magnéticos (G11C 19/14 tiene prioridad).
que utilizan núcleos con una abertura o un bucle magnético.
que utilizan estructuras con una pluralidad de aberturas o de bucles magnéticos, p. ej. transfluxores.
que utilizan capas finas en una estructura plana.
que utilizan capas finas sobre barras; con tuistores.
que utilizan dispositivos reactivos no lineales en circuitos resonantes.
que utilizan elementos magnéticos combinados con elementos activos, p. ej. tubos de descarga, elementos semiconductores (G11C 19/34 tiene prioridad).
que utilizan capacidades como elementos principales de las etapas.
que utilizan tubos de descarga (G11C 19/14 tiene prioridad).
que utilizan elementos semiconductores (G11C 19/14, G11C 19/36 tienen prioridad).
que utilizan elementos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctrica u ópticamente.
que utilizan elementos supraconductores.
que utilizan elementos de almacenamiento con más de dos estados estables representados por escalones, p.ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia.
que utilizan elementos semiconductores.
bidimensional, p.ej. registros de desplazamiento vertical y horizontal.