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SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00 o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C23C, C30B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G03F)

Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.
Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento (después de la fabricación G01R 31/26).
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 ó H01L 21/34.
incluyendo capas inorgánicas.
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.
Preparación de la placa de soporte.
Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.
Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.
Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.
Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.
Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.
Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.
Envejecimiento.
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
utilizando un depósito líquido.
Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas (tratamiento térmico H01L 21/324).
para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.
con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).
produciendo una implantación de iones (tubos de rayos iónicos para tratamiento localizado H01J 37/30).
utilizando máscaras.
utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).
para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
Grabado electrolítico.
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).
para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas que forman electrodos H01L 21/28; capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.
Postratamiento.
Grabado de las capas aislantes.
Dopado de las capas aislantes.
Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
compuestas de nitruros.
utilizando máscaras.
Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas, sobre capas aislantes (disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo H01L 23/52 ); Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
Postratamiento.
Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
Dopado de las capas.
para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen prioridad).
Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.
teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
teniendo los dispositivos tres o más electrodos.
Transistores.
Tiristores.
Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.
Transistores de efecto de campo.
con puerta aislada.
con unión PN.
con puerta Schottky.
Dispositivos de transferencia de carga.
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.
utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
utilizando un depósito líquido.
Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
Bombardeo por radiaciones.
por radiaciones de energía elevada.
que producen una implantación de iones (tubos de rayos iónicos para tratamiento localizado H01J 37/30).
utilizando máscaras.
utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).
para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.
Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).
utilizando máscaras.
para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas que forman electrodos H01L 21/44; capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.
Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.
utilizando máscaras.
Postratamiento.
Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).
Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).
Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326 (contenedores, encapsulado, rellenado, soportes " en sí H01L 23/00).
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.
Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.
Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.
Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.
que utilizan portadores especialmente adaptados.
para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.
para el posicionado, orientación o alineación (para el transporte H01L 21/677).
para sostener o sujetar (para el transporte H01L 21/677, para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).
que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.
Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).
Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
Realización de regiones aislantes entre los componentes.
Uniones PN.
Regiones dieléctricas.
Regiones semiconductoras policristalinas.
Espacios de aire.
por efecto de campo.
Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común.
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).
siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.
siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
Tecnología bipolar.
que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.
que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.
Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.
Estructuras de memorias.
Tecnología de efecto de campo.
Tecnología MIS.
Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.
Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.
Estructuras de memorias.
Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).
Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).
Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).
programables eléctricamente (EPROM).
Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.
Tecnología bipolar y MOS.
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 ó H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 ó H01L 21/8256.
siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..
Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad; montajes H01L 25/00).