00' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (procedimientos o aparatos adaptados a la fabricación o al tratamiento de éstos, o de sus partes constitutivas H01L 21/70, H01L 31/00 - H01L 51/00; detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00; conjuntos de componentes eléctricos en general H05K)

que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
el sustrato común es un cuerpo semiconductor.
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
teniendo los componentes una región activa en común.
únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo.
comprendiendo únicamente componentes bipolares.
comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.
comprendiendo componentes bipolares.
comprendiendo componentes de efecto de campo.
Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio.
Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio.
Estructuras de memorias de solo lectura.
Memorias de solo lectura programables eléctricamente (EPROM).
Circuitos integrados de capa matriz.
el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa.
con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).
Dispositivos de conversión de energía.
Dispositivos controlados por radiación.
Estructuras de captadores de imágenes.
Captadores de imágenes por acoplamiento de carga.
con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz.
con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38).
con componentes que presentan un efecto de superconductividad.
con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos.
con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.
con componentes de resistencia negativa con efecto de volumen.
con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa.
siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada.
transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.
siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.
siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de unión PN.
con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación.
con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos.