00' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas H01L 21/00; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; resistencias en general H01C; condensadores en general H01G)

Cuerpos semiconductores.
Electrodos.
Tipos de dispositivos semiconductores.
caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica, con orientación especial en planos cristalinos (defectos H01L 29/30).
caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
caracterizados por los materiales de los que están constituidos.
Estructuras con variación de potencial periódica o casi periódica, p. ej. pozos cuánticos múltiples, superredes (sus aplicaciones en el control de la luz G02F 1/017, su aplicación en los láseres de semiconductor H01S 5/34).
incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del cuarto grupo de la tabla periódica en forma no combinada.
con dos o más de los elementos previstos en H01L 29/16.
en diferentes regiones semiconductoras.
caracterizados además por el material de dopado.
Selenio o teluro únicamente, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
con varios compuestos.
en diferentes regiones semiconductoras.
caracterizados además por el material de dopado.
con únicamente compuestos A II B VI aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
con varios compuestos.
en diferentes regiones semiconductoras.
caracterizados además por el material de dopado.
con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22 (con materiales orgánicos H01L 51/00).
con elementos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, cubiertos por varios de los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24.
en diferentes regiones semiconductoras.
caracterizados por defectos físicos; que tienen superficies pulidas o rugosas.
los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
los defectos están sobre la superficie.
caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36.
caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.
que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
caracterizados por los materiales de que están formados.
Electrodos de contacto óhmico.
Electrodos de barrera Schottky.
Electrodos del tipo metal-aislante-semiconductor.
Materiales aislantes asociados a estos electrodos.
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).
Dispositivos bipolares.
Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.
Transistores bipolares de unión.
Transistores verticales.
Transistores laterales.
Transistores de heterounión.
controlados por efecto de campo.
Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
Dispositivos de corte por puerta.
con corte por efecto de campo.
Dispositivos bidireccionales, p. ej. triacs.
con encendido por efecto de campo.
Dispositivos unipolares.
Dispositivos de transferencia de carga.
Dispositivos de acoplamiento de carga.
con efecto de campo producido por una puerta aislada.
Transistores de efecto de campo.
con un canal unidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. FET de hilo cuántico.
con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Transistores de película delgada.
de puerta flotante.
de aislante de puerta por almacenaje de cargas, p. ej. transistor de memoria MNOS.
estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.
de unión PN.
puerta Schottky.
controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión (H01L 29/96 tiene prioridad).
controlables por la variación de la corriente eléctrica suministrada, o únicamente de la tensión aplicada a uno o varios de los electrodos que transportan la corriente a rectificar, amplificar, hacer oscilar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).
Resistencias de unión PN.
Diodos.
Diodos de contacto de punta.
Diodos de tiempo de tránsito, p. ej. diodos, IMPATT, TRAPATT.
Diodos Zener.
Diodos PIN.
Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
Diodos Schottky.
Diodos de efecto túnel.
Diodos Esaki.
Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie.
Diodos con capacidad variable, p. ej. varactores.
Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
de un tipo cubierto por al menos dos de los grupos H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 or H01L 29/86.