00' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00; aspectos de los dispositivos colectores de energía en la cubierta del tejado E04D 13/18; producción de calor utilizando calor solar F24J 2/00; medida de rayos X, de rayos gamma, de radiaciones corpusculares o de radiaciones cósmicas con detectores con semiconductores G01T 1/24, con detectores de resistencia G01T 1/26; medida del flujo de neutrones con detectores de semiconductores G01T 3/08; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; obtención de energía a partir de fuentes radiactivas G21H)

Detalles.
Contenedores; Encapsulados.
Revestimientos.
Electrodos.
Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo.
Texturas de superficie particulares.
Disposiciones para la refrigeración, el calentamiento, la ventilación o la compensación de temperatura.
caracterizados por sus cuerpos semiconductores.
caracterizados por los materiales.
Materiales inorgánicos.
caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
adaptados como dispositivos de conversión.
comprendiendo un panel o una matriz de células fotovoltaicas, p. ej. células solares.
escamoteables o plegables.
encapsulados o teniendo una caja.
caracterizados por medios de interconexión particulares.
con medios de refrigeración o medios reflectores o concentradores de luz.
comprendiendo medios para utilizar la energía térmica, p. ej. sistemas híbridos, o una fuente adicional de energía eléctrica (utilizando la energía solar en general F24J 2/00).
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias.
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores.
Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie.
Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
estructuralmente asociados, p. ej. formados en o sobre un sustrato común con una o varias fuentes de luz eléctrica, p. ej. con fuentes de luz electroluminiscentes, y además eléctrica u ópticamente acoplados con dichas fuentes (dispositivos semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie adaptados para la emisión de luz H01L 33/00; amplificadores que utilizan un elemento electroluminiscente o una célula fotoeléctrica H03F 17/00; fuentes de luz electroluminiscente " en sí H05B 33/00).
las fuentes de luz están controladas por el dispositivo semiconductor sensible a la radiación, p. ej. convertidores de imágenes, amplificadores de imágenes, dispositivos de almacenamiento de imagen.
el dispositivo semiconductor sensible a la radiación está controlado por la o las fuentes de luz.
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (para la fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de estado sólido o de sus partes en general H01L 21/00).
Selenio o teluro.
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del grupo cuarto de la clasificación periódica.
caracterizados por el material de dopado.
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p.ej. CdS, ZnS, HgCdTe.
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V .
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A IV B IV por ejemplo SiC.
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.
en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. heterouniones Cu 2 X/CdX, siendo X un elemento del grupo sexto de la clasificación periódica.
caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
comprendiendo semiconductores policristalinos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
comprendiendo semiconductores amorfos (H01L 31/0392 tiene prioridad).
comprendiendo otros materiales no cristalinos, p. ej. partículas semiconductoras incorporadas en un material aislante (H01L 31/0392 tiene prioridad).
comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.
siendo absorbida la luz por el concentrador y reemitida con una longitud de onda diferente, p. ej. utilizando un material luminiscente.
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo metal-aislante-semiconductor.
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo de banda prohibida gradual.
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión.
siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky.
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión.
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN.
comprendiendo barreras de potencial cubiertas por varios de los grupos H01L 31/062 - H01L 31/075.
Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta (H01L 31/101 tiene prioridad).
siendo la barrera de potencial de tipo PN a homounión.
siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
siendo la barrera de potencial del tipo Schottky.
siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión.
caracterizados por dos barreras de potencial o de superficie, p. ej. fototransistor bipolar.
caracterizados por al menos tres barreras de potencial, p. ej. fototiristor.
caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.
del tipo conductor-aislante-semiconductor, p. ej. transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor.
del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
del tipo detectores de barrera de superficie o de unión PN superficial, p. ej. detectores de partículas alfa de barrera de superficie.
caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. detectores de tipo MIS.
siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
formados en o sobre un sustrato común.
siendo todas las fuentes de luz y todos los dispositivos sensibles a la radiación dispositivos semiconductores caracterizados por al menos una barrera de potencial o de superficie.
formados en o sobre un sustrato común.
comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo.