[...] Láseres de semiconductor. H01S 5/00' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA > Láseres de semiconductor

Detalles o componentes estructurales no esenciales en el funcionamiento del láser.
Soportes; Encapsulados.
Disposiciones para la refrigeración.
Componentes integrados monolíticamente, p.ej. guías de ondas, fotodetectores de monitorización, dispositivos para la excitación (estabilización de la salida del láser H01S 5/06; acoplo de guías de luz con elementos optoelectrónicos G02B 6/42; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, adaptados para la emisión de luz H01L 27/15).
Revestimientos.
Procesos o aparatos para la excitación, p.ej. bombeo (H01S 5/06 tiene prioridad).
Excitación eléctrica.
Disposiciones para controlar los parámetros de salida del láser, p.ej. actuando sobre el medio activo (sistemas de transmisión que utilizan luz H04B 10/00).
variando el potencial de los electrodos (H01S 5/065 tiene prioridad).
en láseres con varias secciones.
Acoplamiento de modos ("mode locking"); Supresión de modos; Selección de modos.
Estabilización de los parámetros de salida del láser (H01S 5/0625 tiene prioridad).
monitorizando los parámetros ópticos de salida.
Estabilización de la frecuencia del láser.
Estructura o forma del resonador óptico.
teniendo el resonador una estructura periódica, p.ej. en láseres de realimentación distribuida (láseres DFB) (H01S 5/18 tiene prioridad).
Láseres de reflectores de Bragg distribuidos (láseres DBR).
Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).
Láseres del tipo de ventanas, p.ej. con una región de material no absorbente entre la región activa y la superficie reflectora (H01S 5/14 tiene prioridad).
Láseres de emisión superficial (láseres SE).
que tienen una cavidad vertical (láseres VCSE).
que utilizan un reflector de Bragg distribuido (láseres SE-DBR) (H01S 5/183 tiene prioridad).
Estructura o forma del cuerpo semiconductor para guiar la onda óptica.
que tiene una estructura de tipo estriado o en forma de bandas.
Estructura de banda enterrada (H01S 5/227 tiene prioridad).
Estructura de mesa enterrada.
que tiene una estructura ranurada, p.ej. con ranuras en V.
Estructura o forma de la región activa; Materiales para la región activa.
que comprenden uniones PN, p.ej. heteroestructuras o dobles heteroestructuras (H01S 5/34, H01S 5/36 tiene prioridad).
en compuestos A III B V p.ej. láser de AlGaAs.
en compuestos A II B VI , p.ej. láser de ZnCdSe.
que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único (láseres SQW), láseres de pozos cuánticos múltiples (láseres MQW), láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo (láseres GRINSCH) (H01S 5/36 tiene prioridad).
en compuestos A III B V p.ej. láser de AlGaAs.
en compuestos A II B VI p.ej. láser de ZnCdSe.
que comprenden materiales orgánicos (láseres de colorante H01S 3/213).
Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).
Matrices de láseres de emisión superficial.
Estructuras amplificadoras no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (como repetidores en sistemas de transmisión H04B 10/17).