[...] Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial. 9 Patentes registradas en la sección 'H01L 21/20' de la CIP.

SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B65G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G12B 21/00; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00 o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C23C, C30B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G03F) > Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial

  1. PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR CAPAS DE ÓXIDO DE COBRE (I) SOBRE UN SUSTRATO DE ÓXIDO...
  2. Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir...
  3. MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN...
  4. Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC
  5. MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN...
  6. Grafeno covalentemente modificado
  7. Grafeno covalentemente modificado
  8. PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS SOBRE SUSTRATOS...
  9. OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR CAPAS DE ÓXIDO DE COBRE (I) SOBRE UN SUSTRATO DE ÓXIDO METÁLICO

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 13 de Agosto de 2019.

1. patentes > Resolución > Concesión > Concesión sin examen previo (art. 37.3 lp).

ES 2683913 B1

P 201730422 ( 0 )

28/03/2017

28/09/2018

C30B 19/00 (2006.01)

C23C 18/12 (2006.01)

B05D 5/12 (2006.01)

H01L 21/20 (2006.01)

H01L 31/18 (2006.01)

PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR CAPAS DE ÓXIDO DE COBRE (I) SOBRE UN SUSTRATO DE ÓXIDO METÁLICO

OXOLUTIA, S.L. (100,0%)
Bellaterra (Barcelona) ES
Código Postal: 08193

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Fecha de concesión: 06/08/2019

Procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico.
La presente invención se refiere a un procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico, en el que se emplean soluciones orgánicas de una sal de cobre (II) como precursor, y se lleva a cabo un tratamiento térmico en presencia de un gas inerte y oxígeno. También se refiere a las arquitecturas obtenibles mediante dicho procedimiento, y a la utilización de las mismas en aplicaciones fotovoltaicas.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 06 de Marzo de 2018.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2657666 T3

E 07712941 ( 9 )

23/03/2006 GB 0605838

H01L 21/20 (2006.01)

C30B 23/02 (2006.01)

C30B 25/18 (2006.01)

C30B 29/40 (2006.01)

C30B 29/48 (2006.01)

C30B 33/00 (2006.01)

C30B 23/00 (2006.01)

C30B 25/00 (2006.01)

H01L 21/02 (2006.01)

Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad

Nanogan Limited (100,0%)

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PCT/GB2007/001011 19/03/2007

WO07107757 27/09/2007

E07712941 19/03/2007

EP1997125 15/11/2017

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MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN DE CHORRO DE TINTA

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 29 de Noviembre de 2017.

1. patentes > Resolución > Concesión > Concesión sin examen previo (art. 37.3 lp).

ES 2601487 B1

P 201690070 ( 9 )

30/06/2014

15/02/2017

C30B 19/00 (2006.01)

H01L 21/20 (2006.01)

H01L 51/00 (2006.01)

B05D 7/24 (2006.01)

B05D 5/12 (2006.01)

C23C 18/12 (2006.01)

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN DE CHORRO DE TINTA

OXOLUTIA, S.L. (60,0%)
Edificio Eureka, Parc de Recerca de UAB, Campus de la UAB C/ Serrano, n° 117
Bellaterra Madrid (Barcelona) (Madrid) ES ES
Código Postal: 08193
Código Postal: 28006

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Fecha de concesión: 22/11/2017

Método de fabricación de láminas delgadas de óxidos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.
La presente invención se refiere a un método de fabricación de láminas delgadas de óxidos metálicos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 02 de Octubre de 2017.

5. solicitudes y patentes europeas con efectos en españa (real decreto 2424/1986) > Protección definitiva > Protección definitiva (capítulo v rd 2424/1986).

ES 2634992 T3

E 14721146 ( 0 )

15/03/2013 US 201361798819 P

H01L 21/20 (2006.01)

C30B 25/10 (2006.01)

C30B 25/20 (2006.01)

C30B 29/36 (2006.01)

Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC

Dow Corning Corporation (100,0%)

ELZABURU, S.L.P ,

PCT/US2014/030022 15/03/2014

WO14145286 18/09/2014

E14721146 15/03/2014

EP2837020 17/05/2017

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MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN DE CHORRO DE TINTA

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 15 de Febrero de 2017.

1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Publicación de la solicitud (art. 32.1 lp).

ES 2601487 A1

P 201690070 ( 9 )

30/06/2014

C30B 19/00 (2006.01)

H01L 21/20 (2006.01)

H01L 51/00 (2006.01)

B05D 7/24 (2006.01)

B05D 5/12 (2006.01)

C23C 18/12 (2006.01)

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES MEDIANTE IMPRESIÓN DE CHORRO DE TINTA

OXOLUTIA, S.L. (60,0%) y otros

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Se remite a la solicitud internacional PCT/ES2014/070534

Método de fabricación de láminas delgadas de óxidos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.
La presente invención se refiere a un método de fabricación de láminas delgadas de óxidos metálicos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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Grafeno covalentemente modificado

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 27 de Enero de 2017.

1. patentes > Resolución > Concesión > Concesión con examen previo (art. 40.1 lp).

ES 2578997 B2

P 201530126 ( 7 )

02/02/2015

03/08/2016

C01B 31/04 (2006.01)

H01L 21/20 (2006.01)

H01L 31/028 (2006.01)

Grafeno covalentemente modificado

FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA (71,2%) y otros
Madrid (Madrid) ES

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Fecha de concesión: 20/01/2017

Grafeno covalentemente modificaco.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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Grafeno covalentemente modificado

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 03 de Agosto de 2016.

1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Publicación de la solicitud (art. 32.1 lp).

ES 2578997 A1

P 201530126 ( 7 )

02/02/2015

C01B 31/04 (2006.01)

H01L 21/20 (2006.01)

H01L 31/028 (2006.01)

Grafeno covalentemente modificado

FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA (71,2%) y otros

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Grafeno covalentemente modificaco.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS SOBRE SUSTRATOS EXTERNOS

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 06 de Junio de 2016.

1. patentes > Resolución > Concesión > Concesión sin examen previo (art. 37.3 lp).

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS SOBRE SUSTRATOS...

ES 2536929 B1

P 201490138 ( 4 )

17-06-2013

29-05-2015

H01L 21/20 ( 2006.01)

H01L 21/324 ( 2006.01)

C30B 33/02 ( 2006.01)

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS SOBRE SUSTRATOS EXTERNOS

SOLAR CARBIDE, S.A.R.L. (100,0%)
LU

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Fecha de concesión: 30-05-2016

Aceptada la modificación de reivindicaciones aportadas en fecha 24-05-2016

Procedimiento para la producción de películas delgadas semiconductoras sobre sustratos externos.
La invención propone un procedimiento con el que puede aumentarse el tamaño promedio de los monocristales, en particular el diámetro de los monocristales, en una película delgada semiconductora aplicada sobre un sustrato externo, en un orden de magnitud con respecto a los procedimientos hasta el momento. El procedimiento se caracteriza porque en una primera etapa se aplica una película semiconductora delgada sobre el sustrato externo. Entonces se calienta el sustrato externo tan intensamente que la película delgada semiconductora se funde. A continuación se baja la temperatura lentamente hasta por debajo del punto de fusión del material semiconductor, calentándose durante el proceso de enfriamiento el sustrato externo, de tal manera que la temperatura, partiendo de la superficie del sustrato externo, disminuye de manera constante en dirección vertical transversalmente a través de la película delgada semiconductora hasta la superficie de la película delgada. De esta manera se garantiza que cristalice o solidifique la película delgada al bajarse lentamente la temperatura hasta por debajo de la temperatura de fusión de la película delgada semiconductora en sentido opuesto. Es decir, en primer lugar cristalizan las capas atómicas directamente junto a la superficie expuesta de la película delgada, después las capas atómicas situadas más profundas siguientes, etc., hasta que, en último lugar, cristalizan las capas atómicas en proximidad directa con la superficie del sustrato externo. A este respecto, las capas atómicas pueden orientarse libremente de manera inalterada, con la cristalización, directamente junto a la superficie expuesta de la película delgada, mediante lo cual se promueve la formación monocristales de gran superficie y algunas capas atómicas de monocristales gruesos. Estos sirven entonces como núcleos de crecimiento para las capas atómicas situadas más profundas siguientes, de tal manera que estos monocristales de gran superficie crecen en su grosor en la dirección a la superficie del sustrato externo. Únicamente las capas atómicas en proximidad directa con la superficie del sustrato externo se alteran durante la cristalización y degeneran dando una interfaz amorfa o policristalina. Para garantizar la evolución de la temperatura mencionada anteriormente transversalmente a través de la película delgada, debe seleccionarse como tipo de caldeo obligatoriamente o bien una fuente de caldeo aplicada de manera plana en el lado inferior del sustrato externo o bien un calentamiento del sustrato externo mediante paso de corriente eléctrica. El procedimiento es adecuado en particular para la producción de células solares de película delgada de alta eficiencia. El procedimiento es así mismo adecuado para un templado de alta calidad de películas delgadas semiconductoras de alta temperatura.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

Tomo 2 de Patentes y modelos de utilidad. de 07 de Enero de 2011.

1. patentes > Tramitación > Hasta la publicación del iet (art. 34.5 lp) > Publicación de la solicitud (art. 32.1 lp).

OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

ES 2349610 A1

P 200900639 ( 9 )

06-03-2009

H01L 21/20 (2006.01)

C30B 29/42 (2006.01)

C30B 25/02 (2006.01)

C23C 14/00 (2006.01)

OBLEA EPITAXIAL DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

PACIFIC SPEED LIMITED

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Oblea epitaxial de semiconductor compuesto y su método de fabricación, en el que una primera capa intermedia de silicio (52) se deposita en un sustrato de metal (51), una segunda capa intermedia de semiconductor compuesto (53) se deposita en la primera capa intermedia de silicio, una tercera capa intermedia de semiconductor compuesto (54) se deposita en la segunda capa intermedia de semiconductor compuesto, la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto (55) se cristaliza en la tercera capa intermedia de semiconductor compuesto y se aplica un primer tratamiento térmico, la segunda capa epitaxial de semiconductor compuesto (56) se cristaliza en la primera capa epitaxial de semiconductor compuesto y, finalmente, se aplica un segundo tratamiento térmico para obtener una oblea de semiconductor compuesto (50) de buena calidad.

Otras apariciones publicadas en el BOPI:

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